战国立志传 筑城上限:请问内存tRC和tRFC对应关系

tRC控制内存周期时间，而tRFC代表刷新指令间隔时间。
比如说你延时是3-3-3-8
tRC= tRAS + tRP 。tRAS 8代表时钟周期，tRP3决定激活延迟，那你的tRC是11.
tRFC决定两次刷新时间，那tRFC就注定比tRC时间来的高，所以它们之间是相互配合的关系

Trc代表SDRAM行周期时间(Row Cycle Time)，它是包括行单元开启和行单元刷新在内的整个过程所需要的时钟周期数。出于最佳性能考虑可将该参数设为5/7，这时内存的速度较快.
Trfc（Trfc for DIMM X） X代表0，1，2，3 就是你的内存安装在哪个插槽.

RowCycle Time（tRC）

Settings = Auto， 7-22，步进为1。

这个参数用来控制内存的行周期时间。tRC决定了完成一个完整的循环所需的最小周期数，也就是从行激活到行充电的时间。根据方程，tRC=tRAS+tRP。因此，在设定tRC之前，必须参考一下tRAS和rRP的数值。如果行周期时间过长，会延迟完成一个周期后激活新的行地址的时间。然而，太短会导致被激活的行还未充分充电就开始下一个初始化，这样会造成数据丢失或覆盖。一般情况下根据tRC= tRAS + tRP 把tRC设为一个较低的值，例如tRAS为7个时钟周期，tRP为4个时钟周期，则理想的tRC值为11。

影响：主要影响稳定性和内存带宽

建议设置：7为最佳性能，15-17为超频建议参数，可以从16开始逐步调低直到稳定。记住公式tRC = tRAS +tRP 。

RowRefresh Cycle Time（tRFC）

Settings = Auto， 9-24 ，步进为1。

这个设定代表在同一bank中刷新一个单独的行所需的时间。同时还是同一bank中两次刷新指令的间隔时间。tRFC应该比tRC高。

影响：主要影响内存带宽和稳定性。

建议设置：通常不能达到9，而10为最佳设置。17-19是内存超频建议值。可以从17开始逐步往下调节。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。

Rowto Row Delay（也称为RAS to RAS delay）（tRRD）

Settings = Auto， 0-4，步进1

此参数表示连续的激活指令到内存行地址的最小间隔时间，也就是预充电时间。延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。对于桌面电脑，建议使用2个时钟周期的延迟，此时的数据膨胀可以忽视。tRRD设为2可以提高DDR内存的读写性能，当2才稳定时才应该设为3。

影响：轻微影响内存带宽和稳定性

建议设置：00是最佳性能参数，4超频内存时能达到最高的频率。通常2是最合适的值，00看上去很奇怪，但有人也能稳定运行在00-260MHz。

这个页面还有其他的指标，可以借鉴。
http://www.diysky.net/Article_Show.asp?ArticleID=8305