战争前线炎服是什么:怎样看这内存颗粒HY5DU281622AT-6??

5D表示是DDR内存，U表示的是工艺,CMOS应该是8*16=128M -6我还真没有见过,128M一般是-h -l的DDR266,但是这个不太清楚.为此我特意查看了下DS:http://www.datasheet4u.com/html/H/Y/5/HY5DU28822AT_HynixSemiconductor.pdf.html

最后发现了这个:http://arch.pconline.com.cn/market/gz/shoppingguide/dongtai/10207/79156.html
ps:那个小编其实有一些也是再胡说八道,看看过了也就算了.

是HY(现代)的内存粒
我就会这个

HY5D(DDR SDRAM)U(2.5V)...
1）HYUNDAI（现代）

现代的内存颗粒现在都改名为Hynix了，不过旧颗粒上还是印有HYUNDAI的标志。其SDRAM芯片编号格式为：HY 5<1> <2> V <345> <67> <8> <9> <10> <11.12>-<13.14> s，具体的编号含义可以在现代的网站上找到：

其中HY代表现代的产品：
??5<1>表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
??<2> 代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；
??<345> 代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；
??<67> 代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；
??<8> 代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；
??<9> 代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；
??<10> 代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；
??<11.12>代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；
??<13.14>代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。