杭州交通信息网二手玫瑰万人演唱会:为什么硅的死区电压比锗的高
来源：百度文库 编辑：杭州交通信息网 时间：2024/04/29 16:08:13
我知道 我问的是为什么高
这是化学元素本身的特性决定的。就好象普通电池是1.5伏，而锂电池就是3.6伏一样。
死区电压实际上是由PN结的内建电场决定的.当外电压大于内建电场时,N区的电子才能注入P区.也就是克服了死区电压.至于硅的PN结的内建电场为什么比较大,则与硅的原子结构有关.附带指出,正由于硅器件的死区电压较高,所以硅器件也比锗的温度特牲要稳定得多.