杭州交通信息网win10打开本地组策略:谁能解释一下RC延迟和相关问题？
来源：百度文库 编辑：杭州交通信息网 时间：2024/04/29 04:31:29
首先我不是学物理或者微电子的，我查文献只找到芯片上导线电阻和层间寄生电容会产生RC延迟，电阻和电容越大，延迟时间就越长。延迟时间τ=根号(RC)/(2*π)。
但是为什么电阻和电容就会产生RC延迟呢？最基本的原理是什么？因为相位不一样（我乱猜的，呵呵）？另外，在直流电路和交流电流中都会产生RC延迟吗？
另外还有两个小问题：
1 多孔型低介电常数材料为什么要求微孔到纳米级？只是因为芯片工艺到90纳米级吗？还是自身的物理特性原因（除了孔尺寸越小越不易吸水外）？如果不用在芯片上，就不要求为纳米级了吧？
2 为什么要求闭孔，孔间耦合效应对芯片信号的影响很大吗？一般闭孔率要求多大，难道要100%闭孔？如果不用于芯片上，对闭孔的要求是不是就降低了许多？
谢谢各位。好像最好只能悬赏100分，如果三个问题的解答对我很有帮助，请告诉我如何多加悬赏分！
我知道怎么提高分数了。呵呵。
谢谢 windreiner 和 sali2006 两位。只不过最佳答案只能给一个人。windreiner解释更直观一些，虽然答辩时老师没有问到RC延迟的问题.....
但是为什么电阻和电容就会产生RC延迟呢？最基本的原理是什么？因为相位不一样（我乱猜的，呵呵）？另外，在直流电路和交流电流中都会产生RC延迟吗？
另外还有两个小问题：
1 多孔型低介电常数材料为什么要求微孔到纳米级？只是因为芯片工艺到90纳米级吗？还是自身的物理特性原因（除了孔尺寸越小越不易吸水外）？如果不用在芯片上，就不要求为纳米级了吧？
2 为什么要求闭孔，孔间耦合效应对芯片信号的影响很大吗？一般闭孔率要求多大，难道要100%闭孔？如果不用于芯片上，对闭孔的要求是不是就降低了许多？
谢谢各位。好像最好只能悬赏100分，如果三个问题的解答对我很有帮助，请告诉我如何多加悬赏分！
我知道怎么提高分数了。呵呵。
谢谢 windreiner 和 sali2006 两位。只不过最佳答案只能给一个人。windreiner解释更直观一些，虽然答辩时老师没有问到RC延迟的问题.....
关于RC延迟：
数学公式我就不列了，是本书上都有。
直观想象一下吧。电子器件对相位的影响可以类比成水管子对水流的影响。电位想成水压，电流想成水的流速，电阻就是细管子，会使水流速减慢；电容就是个水池，注满了才能流出去。如果水里漂着个小球，随着水流漂移，加了细管子和水池子后肯定就漂得慢了。这就是RC延迟。
从数学上看，其实R-C系统的阻抗在复平面的第四象限，与复相量相乘的结果就是相位滞后。你列的那个公式是解微分方程的结果，纯数学结果，记住就是了，没什么可过多解释的。
既然说了相位，当然是对交流信号而言的。直流电平只影响元件的工作状态，没有延迟的问题。电容对于直流电就是开路。
关于RC延迟：
数学公式我就不列了，是本书上都有。
直观想象一下吧。电子器件对相位的影响可以类比成水管子对水流的影响。电位想成水压，电流想成水的流速，电阻就是细管子，会使水流速减慢；电容就是个水池，注满了才能流出去。如果水里漂着个小球，随着水流漂移，加了细管子和水池子后肯定就漂得慢了。这就是RC延迟。
从数学上看，其实R-C系统的阻抗在复平面的第四象限，与复相量相乘的结果就是相位滞后。你列的那个公式是解微分方程的结果，纯数学结果，记住就是了，没什么可过多解释的。
既然说了相位，当然是对交流信号而言的。直流电平只影响元件的工作状态，没有延迟的问题。电容对于直流电就是开路。