杭州交通信息网湖北出入境检疫招聘:BIOS中最难的词
来源：百度文库 编辑：杭州交通信息网 时间：2024/05/07 23:41:59
Dram Background Command为何意 设置为Delay 1t 或Auto 有何影响
Write Recovery Time 为何意 设置为2T 或Auto 有何影响
Vcm REF TO ACT/REF 为何意 设置为9T 或Auto 有何影响
谢谢！
还有好几个需要问的 怕多了大家不给解释 希望得到帮助！
一楼的 继续说
Write Recovery Time 为何意 设置为2T 或Auto 有何影响
Vcm REF TO ACT/REF 为何意 设置为9T 或Auto 有何影响
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WriteRecovery Time（tWR）
Settings = Auto， 2， 3。
tWR表示，在一个内存bank被充电之前，一个有效的写操作完成后延迟的时间。这个延迟保证了在充电之前写缓冲里的数据就能被写入内存单元。延迟越短，说明花更少的时间就能对下一次读写操作充电，但同时也有覆盖数据的可能。我的建议是，使用DDR266和DDR200时可以设为2，但DDR333和DDR400可能不一定稳定，这样就必须设为3。总之在稳定的前提下尽量降低延迟。
影响：轻微影响内存带宽和稳定性
建议设置：2为最佳性能，超频用户可以考虑3。
就找到这一个
你去百度搜索，郁闷，太简单；饿
自己看主板说明书啊，每个主板都不同的。