战地加速器:DDR和DDRⅡ各是什么意思

来源：百度文库编辑：杭州交通信息网时间：2024/04/28 14:31:09

DDR和DDR2的区别
严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。

SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。

与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。

从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。

DDR2内存起始频率从DDR内存最高标准频率400Mhz开始，现已定义可以生产的频率支持到533Mhz到667Mhz,标准工作频率工作频率分别是200/266/333MHz，工作电压为1.8V。DDR2采用全新定义的240 PIN DIMM接口标准，完全不兼容于DDR的184PIN DIMM接口标准。

DDR2和DDR一样，采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但是最大的区别在于，DDR2内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR内存的2BIT预读取，这就意味着，DDR2拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力，因此，DDR2则简单的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力。

DDR2内存技术最大的突破点其实不在于所谓的两倍于DDR的传输能力，而是，在采用更低发热量，更低功耗的情况下，反而获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。

DDR,双倍数据读取技术，实际频率是真实频率的1倍
DDR2，四倍数据读取技术

严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。

SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。

与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。

从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。
支持内存类型是指主板所支持的具体内存类型。不同的主板所支持的内存类型是不相同的。内存类型主要有FPM，EDO，SDRAM，RDRAM已经DDR DRAM等。

FPM内存 EDO内存 SDRAM内存 RDRAM内存 DDR SDRAM内存
DDR2内存
ECC并不是内存类型，ECC（Error Correction Coding或Error Checking and Correcting）是一种具有自动纠错功能的内存，英特尔的82430HX芯片组就开始支持它，使用该芯片组的主板都可以安装使用ECC内存，但由于ECC内存成本比较高，所以主要应用在要求系统运算可靠性比较高的商业电脑中，例如服务器/工作站等等。由于实际上存储器出错的情况不会经常发生，而且普通的主板也并不支持ECC内存，所以一般的家用与办公电脑也不必采用ECC内存。

一般情况下，一块主板只支持一种内存类型，但也有例外。有些主板具有两种内存插槽，可以使用两种内存，例如以前有些主板能使用EDO和SDRAM，现在有些主板能使用SDRAM和DDR SDRAM。
明日之星——DDR-Ⅱ与DDR-Ⅲ（一）

作为DDR的接班人，DDR-Ⅱ在规范制定之初就引起了广泛的关注，进入2002年，三星、Elpida、Hynix、Micron等都相继发布了DDR-Ⅱ芯片（最早由三星在5月28日发布），让人觉得DDR-Ⅱ突然和我们近了。可是，DDR-Ⅱ规范却一直没有正式公开，在JEDEC上仍只有一篇ATi技术人员写的，在目前看来有些内容都已过时的简要介绍。

原来，DDR-Ⅱ标准到2002年10月完成度也没有达到100%（厂商透露大约为95%），而上述厂商所推出的芯片也在不断的修改中，预计正式的规范将在明年第一季度推出。不过，DDR-Ⅱ的主体设计已经完成，不会有大的改动，所以通过这些“试验性”芯片，我们仍可掌握DDR-Ⅱ的主要信息。

DDR-Ⅱ相对于DDR 的主要改进如下：

DDR-Ⅱ与目前的DDR对比表

由于DDR-Ⅱ相对DDR-I的设计变动并不大，因此很多操作就不在此详细介绍了，本文重点阐述DDR-Ⅱ的一些重要变化。
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高手进阶，终极内存技术指南——完整/进阶版
发布日期：2002年12月17日作者：特约作者赵效民编辑：PCPOP

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第16页：明日之星——DDR-Ⅱ与DDR-Ⅲ（一）

作为DDR的接班人，DDR-Ⅱ在规范制定之初就引起了广泛的关注，进入2002年，三星、Elpida、Hynix、Micron等都相继发布了DDR-Ⅱ芯片（最早由三星在5月28日发布），让人觉得DDR-Ⅱ突然和我们近了。可是，DDR-Ⅱ规范却一直没有正式公开，在JEDEC上仍只有一篇ATi技术人员写的，在目前看来有些内容都已过时的简要介绍。

原来，DDR-Ⅱ标准到2002年10月完成度也没有达到100%（厂商透露大约为95%），而上述厂商所推出的芯片也在不断的修改中，预计正式的规范将在明年第一季度推出。不过，DDR-Ⅱ的主体设计已经完成，不会有大的改动，所以通过这些“试验性”芯片，我们仍可掌握DDR-Ⅱ的主要信息。

DDR-Ⅱ相对于DDR 的主要改进如下：

DDR-Ⅱ与目前的DDR对比表

由于DDR-Ⅱ相对DDR-I的设计变动并不大，因此很多操作就不在此详细介绍了，本文重点阐述DDR-Ⅱ的一些重要变化。

一、 DDR-Ⅱ内存结构

DDR-Ⅱ内存的预取设计是4bit，通过DDR的讲述，大家现在应该知道是什么意思了吧。

上文已经说过，SDRAM有两个时钟，一个是内部时钟，一个是外部时钟。在SDRAM与DDR时代，这两个时钟频率是相同的，但在DDR-Ⅱ内存中，内部时钟变成了外部时钟的一半。以DDR-Ⅱ 400为例，数据传输频率为400MHz（对于每个数据引脚，则是400Mbps/pin），外部时钟频率为200MHz，内部时钟频率为100MHz。因为内部一次传输的数据就可供外部接口传输4次，虽然以DDR方式传输，但数据传输频率的基准——外部时钟频率仍要是内部时钟的两倍才行。就如RDRAM PC800一样，其内部时钟频率也为100MHz，是传输频率的1/8。

DDR-Ⅱ、DDR与SDRAM的操作时钟比较

所以，当预取容量超过接口一次DDR的传输量时，内部时钟必须降低（除非数据传输不是DDR方式，而是一个时钟周期4次）。如果内部时钟也达到200MHz，那外部时钟也要达到400MHz，这会使成本有大幅度提高。因此，DDR-Ⅱ虽然实现了4-bit预取，但在实际效能上，与DDR是一样的。在上面那幅比较图中，可以看出厂商们的一种误导，它虽然表示出在相同的核心频率下，DDR-Ⅱ达到了两倍于DDR的的带宽，但前提是DDR-Ⅱ的外部时钟频率也是DDR和SDRAM的两倍。在DDR的时钟频率已经达到166/200MHz的今天，再用100MHz去比较，显然意义不大。这点也请大家们注意识别，上图更多的是说明DDR-Ⅱ内外时钟的差异。毕竟内部时钟由外部决定，所以外部时钟才是比较的根本基准。

总之，现在大家要明确认识，在外部时钟频率相同的情况下，DDR-Ⅱ与DDR的带宽一样。

二、 DDR-Ⅱ的新操作与新时序设计

1、片外驱动调校（OCD，Off-Chip Driver）

DDR-Ⅱ内存在开机时也会有初始化过程，同时在EMRS中加入了新设置选项，由于大同小异，在此就不多说了。在EMRS阶段，DDR-Ⅱ加入了可选的OCD功能。OCD的主要用意在于调整I/O接口端的电压，来补偿上拉与下拉电阻值。目的是让DQS与DQ数据信号之间的偏差降低到最小。调校期间，分别测试DQS高电平/DQ高电平，与DQS低电平/DQ高电平时的同步情况，如果不满足要求，则通过设定突发长度的地址线来传送上拉/下拉电阻等级（加一档或减一档），直到测试合格才退出OCD操作。

OCD的作用在于调整DQS与DQ之间的同步，以确保信号的完整与可靠性

不过，据一些厂商的技术人员介绍，一般情况下有DQS#（差分DQS时）就基本可以保证同步的准确性，而且OCD的调整对其他操作也有一定影响，因此在普通台式机上不需要用OCD功能，它一般只会出现在高端产品中，如对数据完整性非常敏感的服务器等。

2、片内终结（ODT，On-Die Termination）

所谓的终结，就是让信号被电路的终端被吸收掉，而不会在电路上形成反射，造成对后面信号的影响。在DDR时代，控制与数据信号的终结在主板上完成，每块DDR主板在DIMM槽的旁边都会有一个终结电压岛的设计，它主要由一排终结电阻构成。长期以来，这个电压岛一直是DDR主板设计上的一个难点。而ODT的出现，则将这个难点消灭了。

顾名思义，ODT就是将终结电阻移植到了芯片内部，主板上不在有终结电路。ODT的功能与禁止由北桥芯片控制，ODT所终结的信号包括DQS、RDQS（为8bit位宽芯片增设的专用DQS读取信号，主要用来简化一个模组中同时使用4与8bit位宽芯片时的控制设计）、DQ、DM等。需要不需要该芯片进行终结由北桥控制。
那么具体的终结操作如果实现呢？首先要确定系统中有几条模组，并因此来决定终结的等效电阻值，有150和75Ω两档，这一切由北桥在开机进行EMRS时进行设置。

在向内存写入时，如果只有一条DIMM，那么这条DIMM就自己进行终结，终结电阻等效为150Ω。如果为两条DIMM，一条工作时，另一条负责终结，但等效电阻为75Ω

在从内存读出时，终结操作也将在北桥内进行，如果有两条DIMM，不工作的那一条将会终结信号在另一方向的余波，等效电阻也因DIMM的数量而有两种设置

（上图可点击放大）

两个DIMM在交错工作中的ODT情况，第一个模组工作时，第二个模组进行终结操作，等第二个模组工作时，第一个模组进行终结操作

现在我们应该基本了解了ODT的功能，它在很大程度上减少了内存芯片在读取时的I/O功率消耗，并简化了主板的设计，降低了主板成本。而且ODT也要比主板终结更及时有效，从而也成为了提高信号质量的重要功能，这有助于降低日后DDR-Ⅱ进一步提速的难度。但是，由于为了确保信号的有效终结，终结操作期将会比数据传输期稍长，从而多占用一个时钟周期的时间而造成总线空闲。不过，有些厂商的技术人员称，通过精确设置tDQSS，可以避免出现总线空闲。

DDR 时代来了！
第一次听到DDR SDRAM是很久以前的事了，事实上，它并不是一项新技术，它在显卡设备中已得到了实际应用。早在发布 GeForce GPU 之时，NVIDIA就已经意识到普通 SDRAM 所能够提供的带宽已经几乎达到了极限。由于当今的图形系统需要传输大量数据，对内存带宽提出了相当高的要求。为了有效解决SDRAM带宽不足的问题，NVIDIA最先在GeForce系列显卡中引入了 DDR SDRAM 技术。DDR SDRAM 可以在一个时钟周期内同时利用上升和下降沿进行两次数据传输，提供两倍于现有带宽的吞吐量，从而在根本上解决了困扰GeForce显卡的显存带宽问题。

目前流行的AGP总线同样采用了 DDR 技术。不同的AGP模式，例如2X，4X等，指得就是在每一个时钟周期内传输数据的次数。Athlon处理器所采用的 EV6 总线的工作频率为 100MHz DDR，其实际效果与普通的 200MHz FSB 完全一样。当然，还有后续的NVIDIA显卡，包括GeForce，GeForce2，以及GeForce2 Ultra在内都使用了DDR SDRAM或者DDR SGRAM。

之所以把 DDR SDRAM 用做系统内存，主要是因为相对于RDRAM，DDR SDRAM更具优势。首先，在价格方面， DDR SDRAM 容易被人们所接受，从采用 DDR显存的显卡可以看出该项技术的实现成本并不高。其次，与RDRAM不同，在实际运行各种应用时，DDR并不会出现延时问题。RDRAM所存在的一个很大的缺陷就是延时太长，导致性能下降，无法充分发挥出带宽优势。与普通的PC133 SDRAM相比，RDRAM所提供的内存带宽要高出60%左右，具有绝对的优势；但是DDR SDRAM可以将现有内存带宽提高两倍，可以说是有过之而无不及。

与RDRAM一样，DDR SDRAM并非按照实际的工作频率，而是以理论传输速率为标准进行划分。

RDRAM包括 PC600，PC700 以及 PC800 三种不同类型，目前可以实现的最大理论带宽为1.6GB/s。而 DDR SDRAM 则分为 PC1600 和 PC2100 两种，其中，运行在 100MHz DDR（实际相当于200MHz）下的 PC1600 DDR SDRAM 的理论传输速率最高可以达到1.6GB/s，与 PC800 RDRAM 持平；PC2100 DDR SDRAM 的工作频率为 133MHz DDR（实际相当于266MHz），最大带宽可以达到 2.1GB/s。

虽然目前已经出现了速度更快的DDR SDRAM，但是到今年年底为止，AMD只准备对上述两种DDR SDRAM提供支持，其中重点以 PC2100 DDR SDRAM 为主。这样做的一个主要原因就是因为如果内存的速度过快，例如高于 266MHz （133MHz DDR），就会超出前端总线的速度，从而迫使系统在异步模式下运行。从现有技术来说，生产以同步模式运行的产品要更加容易一些。

DDR是一种继SDRAM后产生的内存技术，DDR，英文原意为“DoubleDataRate”，顾名思义，就是双数据传输模式。之所以称其为“双”，也就意味着有“单”，我们日常所使用的SDRAM都是“单数据传输模式”，这种内存的特性是在一个内存时钟周期中，在一个方波上升沿时进行一次操作（读或写），而DDR则引用了一种新的设计，其在一个内存时钟周期中，在方波上升沿时进行一次操作，在方波的下降沿时也做一次操作，之所以在一个时钟周期中，DDR则可以完成SDRAM两个周期才能完成的任务，所以理论上同速率的DDR内存与SDR内存相比，性能要超出一倍，可以简单理解为100MHZ DDR=200MHZ SDR。
DDR内存采用184线结构，DDR内存不向后兼容SDRAM，要求专为DDR设计的主板与系统
虽虽然现在的内存频频降价，不过对于仍占据主流地位的DDR来说，单条512MB容量的DDR400 大概要价差不多1,500元新台币上下，就算是大厂推出的版本，顶多就是再加个100元吧，以目前大多习惯采用的Dual Channel双信道的模式来选购的话，一组两条512MB共1GB容量的DDR400也差不多花个3,000元新台币就搞定了。而如果是DDR II的内存，虽然目前的价位比起之前来说是已经降了不少，但是仍旧要略高于现有的DDR内存卖价，以DDR II 533 的规格、512MB容量的版本，大概单条也要花上1,700元以上，要是选择有品牌的大厂所推出的版本、甚至是更高的规格—譬如DDR II 667、800或是更高频率规格，那价格就不只是多出DDR内存10%~15%的价差了。

以现有的主机板架构所对应的内存支持来说，AMD系列目前仍是以DDR内存作为大宗，对应的当然是DDR400、433、450、466、500、533、550、566、600、甚至更高频率的版本(要视采用的CPU与主机板能否对应而定)，但是这样的状况不代表未来或是明年2006年依旧是这样的模式，按照预估，AMD极有可能在明年迈入DDR II的怀抱，一但如此，现阶段的DDR内存该怎么办？抛弃不用吗？还是上网拍卖，换点成本回来补贴呢？

对应于Intel系列的架构，当然这个问题的考虑就少了一些些，就Intel不断推出新芯片组的情况下，之前的i915/925系列也将转由新出炉的i945/955系列来取代，不同于i915系列的是，i945/955系列都已经是全面性采用DDR II的架构，但是，原本就已经在使用i865/875系列的玩家呢？也随着主机板的升级而抛弃之前的DDR内存吗？

如果有一种转接座，就像之前CPU刚变更Socket插槽的过渡性方式一样，可以让DDR内存也继续使用在DDR II的插槽上，那就万事OK了，既不会浪费原有高价购买的DDR内存，又能顺利升级到DDR II的主机板平台上，而且也省下另外购买内存的费用，算是一举数得的方式科技新设计的「DDR II转DDR内存扩充模块」就可以让您的DDR内存继续为您效命，这款"GC-DDR21"可以让主机板上的DDR II插槽，支持DDR内存，方式就是先将这款GC-DDR21安装在主机板的DDR II插槽上，然后再把DDR内存插在这个GC-DDR21模块上头，这样就完成 DDR II转DDR架构的运用了。

DDR和DDRⅡ各是什么意思 DDRⅡ和DDR有什么区别 DDR 和DDRⅡ有什么区别? DDR是什么意思? DDR是什么意思请问DDR和DDRⅡ是什么意思？区别是什么？能兼容么？ DDR内存的DDR是什么意思 DDR内存那DDR是什么意思 DDR内存和SD内存是什么意思？ ddr和ddrⅡ要是同时用会不会有问题！