游戏里最贵的匕首:内存的时脉,有没有高手知道是怎么回事啊

内存时脉参数说明
Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟：5～8可选。
RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。该参数可以控制SDRAM行地址选通脉冲(RAS，Row Address Strobe)信号与列地址选通脉冲信号之间的延迟：2、3、4可选。
Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。该参数可以控制在进行SDRAM刷新操作之前行地址选通脉冲预充电所需要的时钟周期数：2、3、4可选。
CAS Latency，内存CAS延迟时间。内存CAS(Column Address Strobe，列地址选通脉冲)延迟时间控制SDRAM内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快：2.0、2.5、3.0可选

你说的1-2-3-4的什么 应该是内存时序
Apacer DDR333的默认时序是2.5-3-3-7
内存时序是一个不易理解的概念，我们可以简单地将内存时序看作内存工作的反应速度。内存时序通常有四项数值， CAS Latency Time(CAS 延迟时间，也称 CL 值 ) 、 Pre charge to Active (Trp) &DRAM RAS#AM Pre charge( 预充电时间 ) ， Active to Pre charge(Tras)&Act to Pre charge Delay to CAS# Delay( 列地址行地址延迟 ) 。我们不必深究这四项的具体含义，只需知道，内存时序越低，内存的响应越快，但对内存稳定性的影响也越大。

计算机要访问内存也就是地址寻迹需要有一个统一的步调，不然就乱了套，这就是公同的时脉，更不用说每条地址还需要触发脉冲才有效激活，以至于后来发展到脉冲的后沿也能触发既所谓的双通道